Efficient Power Conversion

Công ty Efficient Power Conversion (EPC) là một trong những nhà lãnh đạo trong lĩnh vực transistor công suất gallium nitride chế độ tăng cường. Năm 2009, EPC đã giới thiệu transistor eGaN FET gallium nitride trên silicon chế độ tăng cường đầu tiên có sẵn trên thị trường. Mục tiêu kinh doanh của EPC là trở thành người chơi thống trị trong thị trường transistor công suất bằng cách sản xuất các thiết bị GaN có khả năng chuyển mạch nhanh hơn, kích thước nhỏ hơn và có giá cả cạnh tranh. Sự phát triển của các thiết bị có những đặc điểm này cho phép các ứng dụng mới và tăng tốc quá trình thay thế các transistor MOSFET công suất silicon đã lỗi thời. Kiến thức và kinh nghiệm mà công ty thu được trong việc thương mại hóa công nghệ GaN có thể được tận dụng để tích hợp cả thiết bị công suất và thiết bị tín hiệu trên cùng một nền tảng, dẫn đến các hệ thống công suất monolithic trên một chip duy nhất.

EPC9192 Bộ khuếch đại âm thanh Class-D
Một thiết kế tham khảo cho các bộ khuếch đại âm thanh Class-D sử dụng FET eGaN EPC2307, cho phép công suất cao và hiệu suất tốt.

EPC9193 Bộ biến tần dựa trên GaN
Một thiết kế tham khảo cho bộ biến tần điều khiển động cơ BLDC 3 pha sử dụng FET eGaN EPC2619, phù hợp cho xe đạp điện, máy bay không người lái và robot.

Báo cáo độ tin cậy Phase-16
Một báo cáo ghi lại độ tin cậy của GaN và khả năng hoạt động trong các nhiệm vụ, bao gồm phương pháp thử nghiệm đến khi hỏng và hướng dẫn cho các thông số quá điện áp.

EPC2361 FET GaN
Một FET GaN 100 V, 1 mOhm trong gói nhỏ gọn, cung cấp mật độ công suất cao cho nhiều ứng dụng bao gồm chuyển đổi DC-DC và sạc nhanh.

FET GaN cho chuyển đổi DC/DC
Các thiết kế tham khảo có FET GaN EPC và bộ điều khiển Analog Devices, nhằm tăng hiệu suất và mật độ công suất trong các bộ chuyển đổi DC/DC.

Bảng điều khiển laser
Bảng đánh giá có FET GaN đạt tiêu chuẩn AEC-Q101 cho chuyển tiếp nhanh trong các hệ thống LiDAR, hỗ trợ dòng lên đến 231 A.